* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
SiRA06DP, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.12мм
Длина:
6.25мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
62.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-16 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
40 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TrenchFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK SO-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
51 нКл при 10 В
Ширина:
5.26мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |