* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DMN1150UFB N-channel Enhancement Mode MOSFET Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.48мм
Длина:
1.08мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 мВт
Максимальное напряжение входа:
-6 В, +6 В
Максимальное напряжение стока источника:
12 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
210 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.4 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
X1-DFN1006
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
0.675мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |