* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
The ON Semiconductor MJD112 is the complementary Darlington power transistors designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.
Straight lead version in plastic sleeves
These devices are Pb free and are RoHS compliant
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
6.35мм
Длина:
6.73мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
4 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
20 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
3 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
2 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
20мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
1000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
6.73 x 2.38 x 6.35мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
IPAK (TO-251)
Ширина:
2.38мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |