PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
4 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
20 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
3 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
2 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
20мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
1000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
