Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
3.8 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
250 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
250 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
15 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
5мА
Минимальное усиление постоянного тока:
100
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
16.26 x 5.3 x 21.08мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие