* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Техническая спецификация
MJH11017/19/21 PNP & MJH1018/20/22 NPN Complementary Darlington Power Transistors Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
21.08мм
Длина:
16.26мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
3.8 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
250 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
250 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
15 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
5мА
Минимальное усиление постоянного тока:
100
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
16.26 x 5.3 x 21.08мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
TO-247
Ширина:
5.3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |