Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
420 мВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.6 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
360 мА
Минимальное пороговое напряжение:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.6 нКл при 4.5 В
Datasheet