* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Техническая спецификация
BSP126, N-Channel Enhancement Mode Vertical D-MOS Transistor Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.7мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
375 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.8В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
Ширина:
3.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |