* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2, N-Channel 600V, 0.255 Ohm typ., 13A MDmesh II Plus Low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
4.6мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
110 Вт
Максимальное напряжение входа:
-25 В, +25 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
280 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
13 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh M2
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
21.5 нКл при 10 В
Ширина:
9.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |