* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7, N-Channel 80V, 0.0017 Ohm typ., 180A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packages Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
4.8мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
315 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
21 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
180 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STripFET H7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK-2
Типичный заряд затвора при Vgs:
193 нКл при 10 В
Ширина:
15.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |