RF Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
100 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
225 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
3 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
30 В пост. тока
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
25 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
4 мА
Минимальное усиление постоянного тока:
60, 120
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
