* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
TK100E10N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
15.1мм
Длина:
10.16мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
255 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.4 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
207 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TK
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
Типичный заряд затвора при Vgs:
140 нКл при 10 В
Ширина:
4.45мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |