* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
TPH8R80ANH, Silicon N-Channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.95мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
61 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
8.8 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
59 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
TPH
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOP Advanced
Типичный заряд затвора при Vgs:
33 нКл при 10 В
Ширина:
5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |