NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
1.9 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
90 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
80 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1.3 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
1 A
Минимальное усиление постоянного тока:
2000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
6.7 x 3.7 x 1.75мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
