Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 210 A, 300 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB210N30P3, МОП-транзистор

8024357
Номер производителя: IXFB210N30P3Производитель: IXYS
Цена за шт.
9968.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Техническая спецификация
pdfIXFB210N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
26.59мм
Длина:
20.29мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.89 кВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
300 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
14.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
210 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET, Polar3
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
PLUS264
Типичный заряд затвора при Vgs:
268 нКл при 10 В
Ширина:
5.31мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию