* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Техническая спецификация
NZT605, NPN Darlington Transistor Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.6мм
Длина:
6.5мм
Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
1.8 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
140 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
110 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1.5 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
1.5 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
10нА
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-223
Ширина:
3.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |