* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Техническая спецификация
KSD2012, NPN Epitaxial Silicon Transistor, Low Frequency Power Amplifier Data SheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
25 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
7 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
3 A
Минимальное усиление постоянного тока:
150
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10.16 x 2.54 x 15.87мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-220F
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |