* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Техническая спецификация
FJD5304D, High Voltage Fast Switching Transistor Data SheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
30 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
12 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
700 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
400 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
4 A
Минимальное усиление постоянного тока:
8
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |