Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Fairchild Semiconductor N-Channel MOSFET, 56 A, 100 V, 3-Pin TO-247 Fairchild HUF75639G3, МОП-транзистор

8076692
Номер производителя: HUF75639G3Производитель: Fairchild Semiconductor
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
708.00 руб. (С НДС) *
Количество 2+ 10+ 20+ 100+ 200+
Цена 708.00 руб. 570.00 руб. 522.00 руб. 435.00 руб. 426.00 руб.

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Техническая спецификация
pdfHUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3, N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V 56A 25mOhm Data Sheet
Высота:
20.82мм
Длина:
15.87мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное сопротивление стока источника:
25 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
56 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
UltraFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
110 нКл при 20 В
Ширина:
4.82мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию