* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Техническая спецификация
TIP110/TIP111/TIP112, NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
16.51мм
Длина:
10.67мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
50 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
2.5 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
4 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
2мА
Минимальное усиление постоянного тока:
500
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-220
Ширина:
4.83мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |