* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
Si1553CDL, N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
2.2мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
340 мВт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.48 Ом, 578 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
400 мА, 700 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-363
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.2 нКл при 10 В, 1.9 нКл при 10 В
Ширина:
1.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |