* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
Si2337DS, P-Channel 80V (D-S) MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1.02мм
Длина:
3.04мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное сопротивление стока источника:
303 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.75 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-50 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Типичный заряд затвора при Vgs:
11 нКл при 10 В
Ширина:
1.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |