* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
Si3499DV, P-Channel 1.5V (G-S) MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
3.1мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
-5 В, +5 В
Максимальное напряжение стока источника:
8 В
Максимальное сопротивление стока источника:
48 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.9 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.35В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSOP-6
Типичный заряд затвора при Vgs:
28 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |