* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
Si4564DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1.55мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт, 3.2 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, -16 В, +16 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное сопротивление стока источника:
20 мОм, 28 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7.2 A, 8 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.8В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Типичный заряд затвора при Vgs:
20.5 нКл при 10 В, 41.5 нКл при 10 В
Ширина:
4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |