* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
SiA517DJ, N- and P-Channel 12V (D-S) MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
0.8мм
Длина:
2.15мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
6.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
12 В
Максимальное сопротивление стока источника:
65 мОм, 170 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4.3 A, 4.5 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-363
Типичный заряд затвора при Vgs:
13.1 nC @ 8 V, 9.7 nC @ 8 V
Ширина:
2.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |