* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
BPW77NA and BPW77NB Series Phototransistors
The BPW77NA and BPW77NB series, from Vishay Semiconductor, are a range of silicon NPN phototransistors. They are in hermetically sealed TO-18 packages with a glass lens. The BPW77NA and BPW77NB phototransistors are sensitive to both visible and near IR radiation. They are ideal for use as detectors within electronic control and drive circuits.
Features of the BPW77NA and BPW77NB phototransistors:
TO-18 package
4.7mm diameted
Through-hole mounted
High photo sensitivity
High radiant sensitivity
Fast response times
Operating temperature: -40 to +125 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
BPW77NA, BPW77NB Silicon NPN Phototransistor, RoHS CompliantВысота:
6.15мм
Диаметр:
4.69мм
Количество каналов:
1
Количество штырьков:
3
Максимальная длина волны детектирования:
1080нм
Максимальный световой ток:
15000мкА
Максимальный темновой ток:
100нА
Минимальная длина волны детектирования:
450Нм
Обнаружение спектров:
Infrared, Visible Light
Полярность:
NPN
Размеры:
4.69 x 6.15мм
Спектральный диапазон чувствительности:
450 → 1080 нм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-18
Типичное время нарастания:
6мкс
Типичное время падения:
5мкс
Ток коллектора:
50мА
Угол половинной чувствительности:
±10 °
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |