* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
Si5935CDC, Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1.1мм
Длина:
3.1мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное сопротивление стока источника:
156 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.8 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
1206 ChipFET
Типичный заряд затвора при Vgs:
7 нКл при 5 В
Ширина:
1.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |