Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SI7900AEDN-T1-GE3, МОП-транзистор

8181416
Номер производителя: SI7900AEDN-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
409.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Техническая спецификация
pdfSi7900AEDN, Dual N-Channel 20V (D-S) MOSFET, Common Drain
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.07мм
Длина:
3.15мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Common Drain
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное сопротивление стока источника:
36 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerPAK 1212-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
10.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
3.15мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию