* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Техническая спецификация
120v NPN Silicon High Voltage Darlington Transistor DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.6мм
Длина:
4.6мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
1.8 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.8 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
140 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
120 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1.5 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
1 A
Минимальное усиление постоянного тока:
5000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-89
Ширина:
2.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |