Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

DiodesZetex Quad N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.8 A, 3.1 A, 30 V, 8-Pin SM Diodes Inc ZXMHC3A01T8TA, МОП-транзистор

8231877
Номер производителя: ZXMHC3A01T8TAПроизводитель: DiodesZetex
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
553.80 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Техническая спецификация
pdfComplementary 30v Enhancement Mode Mosfet H-Bridge Datasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.6мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
4
Конфигурация транзистора:
Полный мост
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.7 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
180 мОм, 330 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.8 A, 3.1 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SM
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.9 нКл при 10 В, 5.2 нКл при 10 В
Ширина:
3.7мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию