* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.45мм
Длина:
1.05мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
350 мВт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.4 Ом, 5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
190 мА, 520 мА
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-963
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.4 нКл при 4.5 В, 0.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
0.85мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |