* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.3мм
Длина:
3.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
225 мВт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
900 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
540 мА
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-26
Ширина:
1.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |