Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
-2 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
-10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
-30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
30 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
-1.5 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
-500 мА
Максимальный ток коллекторный отсечки:
-100нА
Минимальное усиление постоянного тока:
10000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
PNP Surface Mount Darlington Transistor Datasheet