* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Техническая спецификация
ESD Control Selection Guide V1Высота:
0.35мм
Длина:
1.04мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 мВт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
250 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.1 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.65В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
FemtoFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PICOSTAR
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.04 нКл при 4.5 В
Ширина:
0.64мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |