Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 42 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC160N10NS3GATMA1, МОП-транзистор

8259250
Номер производителя: BSC160N10NS3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
187.20 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

OptiMOS 3 Power-Transistor

Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

Summary of Features

  • Excellent switching performance

  • World’s lowest R DS(on)

  • Very low Q g and Q gd

  • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

  • RoHS compliant-halogen free

  • MSL1 rated 2

Benefits

  • Environmentally friendly

  • Increased efficiency

  • Highest power density

  • Less paralleling required

  • Smallest board-space consumption

  • Easy-to-design products

Potential Applications

  • Synchronous rectification for AC-DC SMPS

  • Motor control for 48V–80V systems (i.e. domestic vehicles, power-tools, trucks)

  • Isolated DC-DC converters (telecom and datacom systems

  • Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

  • Class D audio amplifiers

  • Uninterruptable power supplies (UPS)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Техническая спецификация
pdfBSC160N10NS3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.1мм
Длина:
5.35мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
60 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
33 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
42 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 3
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TDSON
Типичный заряд затвора при Vgs:
19 нКл при 10 В
Ширина:
6.35мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию