* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Техническая спецификация
BSP129 SIPMOS Small Signal Transistor DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.6мм
Длина:
6.5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
240 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
6 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
280 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Depletion
Серия:
SIPMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.8 нКл при 5 В
Ширина:
3.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |