* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DMN2014LHAB DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
0.6мм
Длина:
3.05мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.7 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
28 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9.3 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
U-DFN2030
Типичный заряд затвора при Vgs:
16 нКл при 4.5 В
Ширина:
2.05мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |