* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DMG6402LVT 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
0.9мм
Длина:
2.9мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.75 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
42 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7.5 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSOT-26
Типичный заряд затвора при Vgs:
11.4 нКл при 10 В
Ширина:
1.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |