* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Техническая спецификация
ESD Control Selection Guide V1Высота:
1.05мм
Длина:
6.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +10 В
Максимальное напряжение стока источника:
25 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.8 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.9В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
NexFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
VSON-CLIP
Типичный заряд затвора при Vgs:
14 нКл при 4.5 В
Ширина:
5.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |