* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BFP640ESD, Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
45 ГГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
0.5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
4.8 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
4.1 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
50 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2 x 1.25 x 0.9мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-343
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |