* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
3.6мм
Длина:
9.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
10
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
73 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+165 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PowerSO
Типичный коэффициент усиления по мощности:
14 дБ
Ширина:
9.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |