N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STB15N80K5, STF15N80K5, STP15N80K5, STW15N80K5, N-Channel 800V, 0.3 Ohm typ., 14A SuperMESH 5 Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Packages
ESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
190 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
375 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
14 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh K5, SuperMESH5
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
32 нКл при 10 В