Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW33N60M2, МОП-транзистор

8291504
Номер производителя: STW33N60M2Производитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
1723.80 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Техническая спецификация
pdfSTF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2, N-Channel 600V, 0.108 Ohm typ., 26A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 Packages
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
20.15мм
Длина:
15.75мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
190 Вт
Максимальное напряжение входа:
-25 В, +25 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
125 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
26 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh M2
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
45.5 нКл при 10 В
Ширина:
5.15мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию