* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
15.75мм
Длина:
10.4мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
2.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
400 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1.8 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
10 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.5мА
Минимальное усиление постоянного тока:
300
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Размеры:
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-220
Ширина:
4.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |