N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STD3N80K5, STF3N80K5, STP3N80K5, STU3N80K5, N-Channel 800V, 2.8 Ohm typ., 2.5A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK PackagesESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
60 Вт
Максимальное напряжение входа:
+30 В
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh K5, SuperMESH5
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
9.5 нКл при 10 В
