* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Current Mirror Transistors, Infineon
Matched dual NPN and PNP transistors with a common base connection for use as current mirror pairs.
Good thermal coupling and VBE matching
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BCV61 Dual NPN Transistor Current MirrorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Current Mirror
Максимальная рабочая частота:
250 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
30 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
100 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-143
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |