Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

8624954
Номер производителя: MJ11012GПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
2289.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
8.51мм
Количество контактов:
2
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
5 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
30 A
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+200 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
21.08 (диаметр) x 8.51мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-204AA
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию