Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

FDH5500_F085 Channel Type, Fairchild Semiconductor N-Channel MOSFET, 75 A, 55 V, 3-Pin TO-247 onsemi FDH5500_F085

8648161
Производитель: Fairchild Semiconductor
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
Свяжитесь с нами насчёт цены (С НДС) *

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (250V) and low-voltage (250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

FDH5500_F085, N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 75A, 7mOhm
Build or Request PCB Symbol & Footprint
Mfr Part No.:
FDH5500_F085 Channel Type
Высота:
4.82mm
Длина:
20.82mm
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
375 W
Максимальное напряжение входа:
-20 V, +20 V
Максимальное напряжение стока источника:
55 V
Максимальное пороговое напряжение:
4V
Максимальное сопротивление стока источника:
7 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
75 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2V
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
UltraFET
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
118 nC @ 10 V, 206 nC @ 20 V
Ширина:
15.87mm
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию