Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
-1.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
-10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
-80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
-1 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
-500 мА
Максимальный ток коллекторный отсечки:
-100нА
Минимальное усиление постоянного тока:
2000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23 (TO-236AB)
BCV26 BCV46 PNP Darlington Transistors