* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Техническая спецификация
BCV26 BCV46 PNP Darlington TransistorsESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
3мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
-1.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
-10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
-80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
-1 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
-500 мА
Максимальный ток коллекторный отсечки:
-100нА
Минимальное усиление постоянного тока:
2000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
3 x 1.4 x 1мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-23 (TO-236AB)
Ширина:
1.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |