* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Техническая спецификация
NX3008NBKS, 30V, 350mA Dual N-Channel Trench MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
2.2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
445 мВт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.8 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
350 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-363
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.52 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |