Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH, МОП-транзистор

8714915
Номер производителя: MDF11N60BTHПроизводитель: MagnaChip
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
312.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Техническая спецификация
pdfMDF11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11A
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
16.13мм
Длина:
10.71мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
49 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
660 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
550 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220F
Типичный заряд затвора при Vgs:
38.4 нКл при 10 В
Ширина:
4.93мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию